Samsungが2025年に次世代HBM4メモリを公開へ

Samsung Electronicsは、2025年までにHBM4メモリを量産し業界ニーズに応える計画を発表した。DRAM製品・技術チーム長のSang Joon Hwang氏によると、同社はHBM2E、HBM3を量産し9.8ギガビット/秒のHBM3Eを開発。HBM3Eは顧客に提供され、HPC/AIエコシステムの強化に役立つ予定。さらに、HBM4の開発は進行中で、高い熱特性に最適化された技術を活用し、2025年までの導入を目指している。AI開発の進化に伴い、NVIDIAなどの潜在的顧客からHBM3に対する強い関心が集まる一方、Samsungは次世代のHBM4プロセスの進歩も計画している。